文献

J-GLOBAL ID：201702225323318243   整理番号：17A0402880

10nmの各厚さの4対ポリSi/SiO_2多重スタックのレーザ支援原子プローブトモグラフィー【Powered by NICT】

Laser-assisted atom probe tomography of four paired poly-Si/SiO₂ multiple-stacks with each thickness of 10nm

著者 (5件)： Kwak C.-M. (Department of Materials Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang 790-784, South Korea) ,  Seol J.-B. (National Institute for Nanomaterials Technology (NINT), POSTECH, Pohang 790-784, South Korea) ,  Kim Y.-T. (Department of Materials Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang 790-784, South Korea) ,  Park C.-G. (Department of Materials Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang 790-784, South Korea) ,  Park C.-G. (National Institute for Nanomaterials Technology (NINT), POSTECH, Pohang 790-784, South Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 497-503  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去10年間に,レーザ支援原子プローブトモグラフィー(APT)解析は設計,加工,及び実質的に全ての材料の特性を決定する界面内の要素とその局所的化学組成の原子スケール分布を定量化するために行った。しかし,針状試料の表面で起こるレーザ誘起発光の性質は高度に複雑な,多重積層デバイスのロバストで信頼性のある分析のための非導電性酸化物を含むレーザ光源とチップ間の表面相互作用を理解するための進行中の課題となっている。ここでは,10nmの厚さで四対ポリSi/SiO_2(conductive/non導電性)多重スタックのAPT解析は三実験条件を実験的モニタリングにより支配されることを見出し,レーザビームエネルギー30~200nJの範囲にあり,,30 100Kと共に変化する解析温度,と解析方向に与えられたチップ内で整列した界面の傾斜である。レーザエネルギーと解析温度を変化させ,導電性ポリSi層内の単一帯電したSiイオンへの二重帯電したSiイオンの劇的な組成比を修正し,非導電性層で検出されたものと比較した。多重スタックの重篤な歪んだAPT画像も,特に導電層で,避けられないと成功解析収率の低下をもたらした。与えられたチップ内の界面の傾斜を変えた解析方向(チップ軸に平行な平面状界面)がこの低いスループットは克服されてきたが,チップ軸に垂直な平面界面を含むチップのものから数え導電層の化学組成には大きな偏りがあるポリSi層内で,初めて,検出されたSi_2,SiH_2O,Si_2Oイオンのために避けられない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 化学組成 ,  導電性 ,  *レーザ ,  多層膜 ,  *ポリシリコン ,  帯電 ,  ロバスト性 ,  界面 ,  スループット ,  発光 ,  *多重化
準シソーラス用語： *原子プローブ ,  導電層 ,  ケイ素イオン ,  *原子プローブトモグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： レーザ支援原子プローブ ,  Multilayers ,  酸化けい素 ,  試料破壊

分類 (5件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  顕微鏡法  (BK01040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 厚さ ,  ポリSi ,  多重 ,  スタック ,  レーザ ,  支援 ,  原子プローブトモグラフィー