Cui Guodong について
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China について
Han Dedong について
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China について
Cong Yingying について
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China について
Dong Junchen について
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China について
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China について
Zhang Shengdong について
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China について
Zhang Xing について
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China について
Wang Yi について
Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China について
IEEE Electron Device Letters について
薄膜トランジスタ について
最適化 について
チタン について
ガラス について
低温 について
電気的性質 について
ドーピング について
誘電体 について
ゲート絶縁膜 について
移動度 について
酸化亜鉛 について
サブ閾値スイング について
閾値電圧 について
絶縁層 について
二重層 について
トランジスタ について
低温 について
二重層 について
ゲート誘電体 について
高性能 について
Ti について
ドープ について
亜鉛酸化物 について
TFT について