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J-GLOBAL ID：201702225357431539   整理番号：17A0502588

異方性ウェットエッチングにより作製された25nm単結晶シリコンナノワイヤ

25 nm Single-Crystal Silicon Nanowires Fabricated by Anisotropic Wet Etching

著者 (4件)： CHU Hoang Manh (Hanoi Univ. Sci. and Technol., Hanoi, VNM) ,  NGUYEN Minh Van (Hanoi Univ. Sci. and Technol., Hanoi, VNM) ,  VU Hung Ngoc (Hanoi Univ. Sci. and Technol., Hanoi, VNM) ,  HANE Kazuhiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 2  ページ： 1525-1529  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンナノワイヤーは,ナノセンサー,ナノ共振器,および高密度集積ナノフォトニックおよびナノエレクトロニクス回路における応用が期待されている。本稿では,低コスト,オールウェット化学エッチング技術に基づいて単結晶シリコンナノワイヤを製造するための,トップダウン法を報告する。この方法は,KOH溶液中での単結晶シリコンの標準的なフォトリソグラフィ技術および異方性湿式化学エッチングを使用した。本研究では,標準的なフォトリソグラフィ技術およびKOH湿式バルクマイクロマシニングに基づいて,超高アスペクト比および高スループットの単結晶シリコンナノワイヤを製造するためのトップダウン製造方法を提示した。単結晶シリコンナノワイヤをパターニングするために使用されるSiO₂マスクナノラインは,緩衝フッ化水素溶液を用いた等方性アンダーカットエッチングによって得られた。単結晶シリコンのKOH溶液における異方性ウェットエッチング特性を利用して,アスペクト比8×10⁵に対応する,最小幅25nm,ウェーハスケール長2cmの単結晶シリコンナノワイヤの製造に成功した。作製された単結晶シリコンナノワイヤは,ナノエレクトロニクスおよびナノフォトニック素子への応用が期待される。

シソーラス用語： *エッチング ,  *ウェットエッチング ,  *ナノワイヤ ,  *フォトリソグラフィー ,  *マイクロマシニング ,  アスペクト比
準シソーラス用語： 異方性エッチング ,  シリコンナノワイヤ

分類 (2件)： 無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 異方性 ,  ウェットエッチング ,  作製 ,  単結晶シリコン ,  ナノワイヤ