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J-GLOBAL ID：201702225370929987   整理番号：17A1639019

間接バンドギャップ半導体を用いたTFETにおけるフォノン支援トンネリングの理論的研究【Powered by NICT】

Theoretical investigation of the phonon-assisted tunneling in TFET with an indirect band gap semiconductor

著者 (2件)： Chen J. (School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, PR China) ,  Gong J. (School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, PR China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 319-325  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物-半導体トランジスタを超えて進むべき道は量子トンネルトランジスタにおける強い最近の関心である。フォノン支援トンネリング(PAT)は間接バンドギャップ半導体を用いたトンネル電界効果トランジスタにおける支配的な役割を果たしている。本研究では,伝導帯の底へのトップ価電子バンドからのフォノンに支援された電子トンネリングを研究するためにFermi金則に基づく便利な表現を提供した。異なったフォノンモードとの比較を通して,横音響フォノンモードは,PATへの最大の寄与を提供した。伝達マトリックスモデルの結果は,反射波の影響を無視しているWentzel-Kramers-Brillouin近似と比較してわずかに高いトンネル電流を予測した。しかし,著者らの方法を用いて計算した電流密度は,Kaneのモデルより大きな約であることを示した。,温度はフォノン支援Zenerトンネリング電流密度を向上させた。著者らの結果は,間接バンドギャップ半導体における理解PATに光を当てた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  トランジスタ ,  電流密度 ,  *フォノン ,  *トンネル効果 ,  転送行列 ,  価電子バンド ,  近似法 ,  *半導体 ,  酸化物
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  フォノンモード ,  トンネルトランジスタ ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Zenerトンネリング ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  フォノン支援トンネリング ,  間接バンドギャップ半導体

分類 (4件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 間接バンドギャップ ,  TFET ,  フォノン ,  支援 ,  トンネリング ,  理論 ,  研究