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J-GLOBAL ID：201702225428106756   整理番号：17A1125360

TMAH表面処理を施したAl_2O_3/GaN-オン-インシュレータ(GaNOI)構造の容量-電圧特性評価【Powered by NICT】

Capacitance-voltage characterization of Al₂O₃/GaN-on-insulator (GaNOI) structures with TMAH surface treatment

著者 (6件)： Im Ki-Sik (Institute of Semiconductor Fusion Technology, Kyungpook National University, Daegu 702-701, Republic of Korea) ,  Kim Jeong-Gil (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu 702-701, Republic of Korea) ,  Vodapally Sindhuri (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu 702-701, Republic of Korea) ,  Caulmilone Raphaeel (SOITEC, Bernin 38190, France) ,  Cristoloveanu Sorin (Institute of Microelectronics, Electromagnetism and Photonics, Grenoble Polytechnic Institute, Minatec, 38016 Grenoble, France) ,  Lee Jung-Hee (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu 702-701, Republic of Korea)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 178  ページ： 217-220  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)表面処理なしで,スマートカット技術を用いて調製した,Al_2O_3/GaNオンインシュレータ(GaNOI)構造の容量-電圧(C V)特性を検討した。GaNOI構造をサファイア基板上に堆積した150nm厚GaN層と800μm厚Si_3N_4/SiO_2埋込み絶縁層から構成されている。MISキャパシタの製作のために,ゲート誘電体として28nmの厚さを持つAl_2O_3層は原子層堆積(A LD)によりGaNOIウエハ上に堆積した。埋込み絶縁体上のGaN層の計算したキャリア濃度はウエハ移動前に成長したままの非ドープGaN層に対して~5×10~16cm~ 3の値から2.8×10~17cm~ 3に増加した。TMAH表面処理を有するMISキャパシタはTMAH表面処理なしコンデンサと比較して無視できるヒステリシスと低い界面トラップ密度と正の閾値電圧シフトを示した。複雑なウエハ移動過程中に発生する結晶欠陥に起因するTMAH処理に関係なく観察された重篤な周波数分散。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  コンデンサ ,  格子欠陥 ,  *絶縁体 ,  *窒化ガリウム ,  ヒステリシス ,  *表面処理 ,  キャリア密度 ,  *電圧 ,  ゲート絶縁膜 ,  *絶縁材料
準シソーラス用語： 周波数分散 ,  閾値電圧シフト ,  界面トラップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN ,  GaN-オン-インシュレータ(GaNOI) ,  TMAH表面処理 ,  C-V特性 ,  界面トラップ密度 ,  周波数分散

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： TMAH

タイトルに関連する用語 (6件)： TMAH ,  表面処理 ,  GaN ,  インシュレータ ,  電圧特性 ,  評価