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J-GLOBAL ID：201702225747056742   整理番号：17A1640769

超高密度II型多層Ge/Si量子ドット超格子を用いた中間バンド太陽電池の設計とシミュレーション【Powered by NICT】

Design and Simulation of Intermediate Band Solar Cell With Ultradense Type-II Multilayer Ge/Si Quantum Dot Superlattice

著者 (4件)： Tsai Yi-Chia (Department of Electrical and Computer Engineering, Parallel and Scientific Computing Laboratory, Institute of Communications Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Lee Ming-Yi (Department of Electrical and Computer Engineering, Parallel and Scientific Computing Laboratory, Institute of Communications Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Li Yiming (Department of Electrical and Computer Engineering, Parallel and Scientific Computing Laboratory, Institute of Communications Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Samukawa Seiji (Institute of Fluid Science and WPI-Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 11  ページ： 4547-4553  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： II型多層ゲルマニウム(Ge)/シリコン(Si)量子ドット超格子(QDSL)太陽電池における構造パラメータと形状に及ぼすミニバンド依存性を調べた。最大同調範囲基底状態エネルギーは0.5nmまで同調層距離により19%であったが,24.5%は0.3nmまでの水平ドット同士間の間隔を調整することにより達成した。有効バンドギャップの減少は超高密度QDSLにおける楕円形と円錐QDより円筒状QDの重篤な,比較的低い変換効率をもたらした。平均して,QDの厚さは変換効率に負の相関を示した。AM1.5スペクトル放射照度及び一太陽照明下での二層円錐QDSLで27.22%の高い変換効率を観測した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *超格子 ,  照明 ,  円筒 ,  *量子ドット ,  同調 ,  放射照度 ,  基底状態 ,  *多層 ,  バンドギャップ ,  構造パラメータ ,  *太陽 ,  円錐
準シソーラス用語： 変換効率 ,  ミニバンド ,  *高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高密度 ,  多層 ,  Ge ,  Si ,  量子ドット超格子 ,  中間バンド太陽電池 ,  設計 ,  シミュレーション