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J-GLOBAL ID：201702225840887963   整理番号：17A1261747

電力スイッチング応用のための埋込み電流センシング構造を持つAuフリーAlGaN/GaN MIS-HEMT【Powered by NICT】

Au-Free AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Embedded Current Sensing Structure for Power Switching Applications

著者 (4件)： Sun Ruize (National University of Singapore, Singapore) ,  Liang Yung C. (National University of Singapore, Singapore) ,  Yeo Yee-Chia (National University of Singapore, Singapore) ,  Zhao Cezhou (Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 8  ページ： 3515-3518  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ(MIS HEMTs)は,効率的な電力変換応用における使用のための有望な候補となっている。デバイス自体のコンバータ回路制御機能と過電流保護を実現するために,設計し,作製し,埋め込まれた電流センシング構造を持つAuフリーAlGaN/GaN MIS-HEMTをexperimentallymeasuredた。の検出電圧信号は,ドレイン電流を表すことができるソースとゲート電極の間に挿入した浮遊オーミック電流センシング電極。準静的,過渡状態を含む種々の運転条件で,高温下での安定な電流センシング比を達成した。提案した構造はCMOS互換AlGaN/GaN技術上のモノリシックパワー集積回路に非常に有効である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *HEMT ,  過渡現象 ,  電力変換 ,  *電力 ,  電圧 ,  *スイッチング ,  絶縁体 ,  高温 ,  *電流 ,  半導体
準シソーラス用語： パワーIC ,  ゲート電極 ,  ドレイン電流 ,  過電流保護 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： スイッチング ,  応用 ,  埋込み ,  センシング ,  Au ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  HEMT