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J-GLOBAL ID：201702226120650552   整理番号：17A1537324

Dinaphthotetrathiafulvaleneビスイミド:π-拡張TTF安定なp型半導体のファミリーの新しいメンバー【Powered by NICT】

Dinaphthotetrathiafulvalene Bisimides: A New Member of the Family of π-Extended TTF Stable p-Type Semiconductors

著者 (9件)： Yamashita Masataka (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara, 630-0192, Japan) ,  Kawano Koki (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara, 630-0192, Japan) ,  Matsumoto Akinobu (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara, 630-0192, Japan) ,  Aratani Naoki (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara, 630-0192, Japan) ,  Hayashi Hironobu (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara, 630-0192, Japan) ,  Suzuki Mitsuharu (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara, 630-0192, Japan) ,  Zhang Lei (Department of Polymer Science and Engineering, University of Massachusetts, 120 Governors Drive, Amherst, MA, 01003, USA) ,  Briseno Alejandro L. (Department of Polymer Science and Engineering, University of Massachusetts, 120 Governors Drive, Amherst, MA, 01003, USA) ,  Yamada Hiroko (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara, 630-0192, Japan)
資料名： Chemistry - European Journal  (Chemistry - European Journal)
巻： 23  号： 60  ページ： 15002-15007  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0744A  ISSN： 0947-6539  CODEN： CEUJED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： tetrathiafuluvalene(TTF)に基づく空気中で安定な有機半導体は電子供与性TTF,π-拡張ナフタレン及び電子吸引性トリフルイミドを用いたdinaphthotetrathiafulvaleneビスイミド(DNTTF Im)を合成により開発した。アリール置換DNTTF Imラジカルカチオンの電子スピン共鳴分光法とX線単結晶構造解析によって,スピンの局在化は電子供与性TTF部分に存在することを確認した。高結晶性n-ブチル(C4)とn-ヘキシル(C6)-置換DNTTF Imの使用から誘導された有機電界効果トランジスタ特性を評価した。C6DNTTF Imの正孔キャリア移動度は,周囲条件で3.7×10 3cm 2V 1s 1から0.30cm 2V 1秒 1に改善された。これは昇華中の25°Cから200°Cまでの基板温度の上昇に起因した。XRDと顕微鏡分析は,基板温度の上昇基板に平行な正孔電荷輸送に適した大きな結晶粒をもたらすエンドオン充填を促進することを示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

著者キーワード (5件)： イミド ,  有機電界効果トランジスタ ,  多環式芳香族化合物 ,  ラジカルカチオン ,  semiconductors

タイトルに関連する用語 (7件)： ビス ,  イミド ,  π-拡張 ,  TTF ,  P型半導体 ,  ファミリー ,  メンバー