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J-GLOBAL ID：201702226142794286   整理番号：17A0132783

バイアス依存型共鳴光ルミネッセンスによるGaN系発光ダイオードの放射効率の決定

Determination of the radiative efficiency of GaN-based light-emitting diodes via bias dependent resonant photoluminescence

著者 (2件)： Mounir Christian (Department of Microsystems Engineering (IMTEK), University of Freiburg, Georges-Kohler-Allee 103, 79110 Freiburg, Germany) ,  Schwarz Ulrich T. (Institute of Physics, Technical University of Chemnitz, Reichenhainer Strasse 70, 09126 Chemnitz, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 1  ページ： 011106-011106-5  発行年： 2017年01月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  発光ダイオード ,  *放射効率 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *化合物半導体
準シソーラス用語： InGaN ,  III-V族化合物半導体

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： バイアス ,  依存型 ,  共鳴 ,  光ルミネッセンス ,  GaN ,  発光ダイオード ,  放射効率