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J-GLOBAL ID:201702226246750920   整理番号:17A0549479

低p-BaSi2/n+-Siヘテロ接合太陽電池の作製

Fabrication of low B-doped p-BaSi2/n+-Si heterojunction solar cells
著者 (5件):
資料名:
巻: 64th  ページ: ROMBUNNO.15p-P13-1  発行年: 2017年03月01日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (3件):
分類
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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  ,  太陽電池  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (3件):
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