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J-GLOBAL ID：201702226322750071   整理番号：17A1194553

欠陥を生成させた3C-SiCの電気化学特性

著者 (6件)： 前田有輝 (京大 大学院) ,  深見一弘 (京大 大学院) ,  近藤創介 (京大 エネルギー理工学研) ,  檜木達也 (京大 エネルギー理工学研) ,  北田敦 (京大 大学院) ,  邑瀬邦明 (京大 大学院)
資料名： 電気化学秋季大会講演要旨集(CD-ROM)
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.2F25  発行年： 2017年08月28日 
JST資料番号： X0038B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  立方晶系 ,  特性 ,  電気化学的挙動 ,  電気化学的分極 ,  *格子欠陥 ,  イオン照射 ,  イオン ,  ケイ素 ,  フッ化水素 ,  フッ化アンモニウム ,  塩化アンモニウム ,  曲線 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  腐食機構 ,  腐食 ,  時間
準シソーラス用語： *3C-SiC ,  *電気化学特性 ,  ケイ素イオン ,  サイクリックボルタモグラム ,  照射時間

分類 (4件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  燃料要素  (MD04030E) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 欠陥 ,  3C-SiC ,  電気化学特性