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J-GLOBAL ID：201702226338658544   整理番号：17A0468021

真空蒸着されたSnの等温酸化により調製されたSnO₂薄膜の物理的性質

Physical properties of SnO₂ thin films prepared by isothermal oxidation of vacuum evaporated Sn

著者 (5件)： KABIR A. (Univ. 20 aout 1955-Skikda, Skikda, DZA) ,  BOULAININE D. (Univ. 20 aout 1955-Skikda, Skikda, DZA) ,  BOUANANE I. (Univ. 20 aout 1955-Skikda, Skikda, DZA) ,  SCHMERBER G. (IPCMS, CNRS, Strasbourg, FRA) ,  BOUDJEMA B. (Univ. 20 aout 1955-Skikda, Skikda, DZA)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 3  ページ： 2481-2486  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (111)配向Si基板上での真空蒸着Sn薄膜の熱酸化で単相正方晶SnO₂を得た。このSn酸化は時間を60分から180分に拡張して500°Cの温度で一定酸素ガス流の下で行われた。この酸化物膜の物理的性質を厚みや電気抵抗率の測定に加えてX線回折やRutherford後方散乱分光法などにより評価した。また,この酸化物膜の物理的性質に与えるアニーリング時間の影響を調べた。ここで得たSnO₂膜は弱いSnピークの存在と共に(101)面に沿って優先的に配向されており,粒径はアニーリング時間の関数として増加した。結晶画分はアニーリング時間の関数として増加し,粒径と相関していた。また,バンドギャップエネルギーが異なる三つの層の存在を明らかにした。SnO₂のバンドギャップエネルギーは,粒径の増加によって生じる電荷キャリア密度の増加によりアニーリング時間の増加と共に減少した。膜厚の増加はアニーリング時間の増加と相関していた。電気抵抗率は粒径の増加によりアニーリング時間の増加と共に減少した。

シソーラス用語： 酸化 ,  等温過程 ,  スズ ,  *酸化スズ ,  物理的性質 ,  真空蒸着 ,  焼なまし ,  Rutherford散乱分光法 ,  X線回折 ,  エネルギー ,  電気抵抗率 ,  結晶粒径 ,  時間依存性 ,  *薄膜 ,  酸化膜 ,  膜厚 ,  結晶方位 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： Rutherford後方散乱分光法 ,  バンドギャップエネルギー ,  *二酸化スズ ,  等温酸化

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 真空蒸着 ,  Sn ,  等温酸化 ,  調製 ,  薄膜 ,  物理的性質