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J-GLOBAL ID：201702226369366935   整理番号：17A1351082

回路伝導放出に及ぼすDSOIバックゲートバイアスの影響【Powered by NICT】

Impact of DSOI back-gate biasing on circuit conducted emission

著者 (6件)： Li B. (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Gao J. (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Han Z. (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Luo J. (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wu J. (College of Electronics and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Zhu W. (Tianjin Binhai Civil-military Integrated Innovation Institute, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EMCCompo  ページ： 193-196  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 行っ回路放出に及ぼすFDSOIバックゲートバイアスの影響を示した。バックゲートバイアスはフロントゲート電気的特性を調節することができ,回路性能と電力消費はダイナミックに変化する。一方,回路の電磁放射はバックゲート変動と変化している。基底ピンのバックゲートバイアスおよび雑音端子電圧の間の関係を説明するために試験したリング発振器。結果は,フロントゲート電気的パラメータを用いて行った発光の強い関係を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 回路特性 ,  基底 ,  電力消費 ,  電磁波放射 ,  *リング発振器 ,  電気的性質
準シソーラス用語： *バックゲート ,  FDSOI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 伝導 ,  放出 ,  バック ,  ゲートバイアス