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J-GLOBAL ID：201702226402649799   整理番号：17A1170545

高速窒化シンチレータ構造のためのGaNバッファ層のルミネセンス特性の改善【Powered by NICT】

Improvement of luminescence properties of GaN buffer layer for fast nitride scintillator structures

著者 (5件)： Hubacek T. (Institute of Mechatronics and Computer Engineering, TUL, Liberec, Czechia) ,  Hospodkova A. (Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czechia) ,  Oswald J. (Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czechia) ,  Kuldova K. (Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czechia) ,  Pangrac J. (Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czechia)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 464  ページ： 221-225  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速シンチレーション構造への応用に関し,GaNバッファ層成長の技術を最適化した。十μsまでの減衰時間をもつ黄色バンド(YB)と呼ばれる深い欠陥ルミネセンスはこれらの応用のために望ましくないであり抑制すべきであるか,または少なくともYB最大に励起子の強度の比はかなり増加しなければならない。必要な光ルミネセンス特性をサファイア基板上に核形成と合体層の成長パラメータの最適化によって達成された。NH_3流れの減少,コアレッセンス温度の減少,核形成時間の増加と核形成圧力は構造の改善とバッファ層のルミネセンス特性に導くことを示した。結果はexcitonic/YBルミネセンス強度の顕著な増加があることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  コアレッセンス ,  最適化 ,  *高速度 ,  *バッファ層 ,  減衰時間 ,  *窒化 ,  核形成 ,  *ルミネセンス ,  励起子 ,  *シンチレータ ,  シンチレーション
準シソーラス用語： 生長パラメータ ,  サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A3MOVPE ,  A3GaN ,  B3シンチレータ ,  A1黄色バンド

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化 ,  シンチレータ ,  GaN ,  バッファ層 ,  ルミネセンス