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J-GLOBAL ID：201702226425114215   整理番号：17A1261715

Ge MOSゲートスタックにおけるGeO_2不動態化に及ぼす超薄Y_2O_3層の影響【Powered by NICT】

The Impact of an Ultrathin Y₂O₃ Layer on GeO₂ Passivation in Ge MOS Gate Stacks

著者 (8件)： Seo Yujin (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, South Korea) ,  Lee Tae In (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, South Korea) ,  Yoon Chang Mo (Department of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea) ,  Park Bo-Eun (Department of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea) ,  Hwang Wan Sik (Department of Materials Engineering, Korea Aerospace University, Goyang, South Korea) ,  Kim Hyungjun (Department of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea) ,  Yu Hyun-Yong (School of Electrical Engineering, Korea University, Soeul, South Korea) ,  Cho Byung Jin (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 8  ページ： 3303-3307  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeO_2~ベースGeゲートスタックにおけるGeO_2層の不動態化に及ぼす原子層蒸着Y_2O_3誘電体の影響を研究した。超薄Y_2O_3層の等価酸化膜厚スケーラビリティと熱安定性は異なるY_2O_3厚さとアニーリング条件で詳細に評価した。実験結果は,1.0nmのY_2O_3層の厚さはGeO_2不動態化層として機能する必要である400°Cでのポスト堆積アニーリングでゲートスタック性能を維持することを示した。しかし,500°Cの高いアニーリング温度で,障壁特性は,GeOの脱離を低下させ,可能にした。提案したゲートスタックから,さらに縮小化されGeO_2~ベースGeゲートスタックのためのY_2O_3不動態化法の適用可能性を意味している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電体 ,  焼なまし ,  *不動態化 ,  脱着 ,  熱安定性
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  等価酸化膜厚 ,  ALCVD ,  二層 ,  *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  MOS ,  ゲートスタック ,  不動態化