Seo Yujin について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, South Korea について
Lee Tae In について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, South Korea について
Yoon Chang Mo について
Department of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea について
Park Bo-Eun について
Department of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea について
Hwang Wan Sik について
Department of Materials Engineering, Korea Aerospace University, Goyang, South Korea について
Kim Hyungjun について
Department of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea について
Yu Hyun-Yong について
School of Electrical Engineering, Korea University, Soeul, South Korea について
Cho Byung Jin について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, South Korea について
IEEE Transactions on Electron Devices について
誘電体 について
焼なまし について
不動態化 について
脱着 について
熱安定性 について
アニーリング温度 について
等価酸化膜厚 について
ALCVD について
二層 について
ゲートスタック について
トランジスタ について
Ge について
MOS について
ゲートスタック について
不動態化 について