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J-GLOBAL ID：201702226532926798   整理番号：17A0953619

GaAs中での電荷キャリアのCoulomb相互作用により誘起したバンドギャップくりこみのピコ秒緩和

Picosecond Relaxation of Band-Gap Renormalization Induced by the Coulomb Interaction of Charge Carriers in GaAs

著者 (4件)： AGEEVA N. N. (Kotel’nikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS) ,  BRONEVOI I. L. (Kotel’nikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS) ,  ZABEGAEV D. N. (Kotel’nikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS) ,  KRIVONOSOV A. N. (Kotel’nikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 5  ページ： 565-570  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsのピコ秒ポンピングに際して固有誘導ピコ秒放射のスペクトルの長波長端の動力学の実験的研究を行った。電荷キャリアのCoulomb相互作用が誘起するバンドギャップくりこみの不足が準安定状態でのくりこみとの比較で観測された。この不足の原因は実験条件下ではくりこみ緩和時間がピコ秒の桁であることにある。

シソーラス用語： *ピコ秒 ,  *緩和時間 ,  *バンドギャップ ,  *Coulomb相互作用 ,  *キャリア ,  *ヒ化ガリウム ,  励起 ,  誘導放出 ,  *くりこみ ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *電荷キャリア

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  電荷キャリア ,  Coulomb相互作用 ,  誘起 ,  バンドギャップ ,  くりこみ ,  ピコ秒 ,  緩和