GeO_2/Ge界面での酸素空格子点形成による有効仕事関数の低減【Powered by NICT】

Lee Tae In; Seo Yujin; Moon Jungmin; Ahn Hyun Jun; Yu Hyun-Young; Hwang Wan Sik; Cho Byung Jin

文献

J-GLOBAL ID：201702226566521483 整理番号：17A1181726

GeO_2/Ge界面での酸素空格子点形成による有効仕事関数の低減【Powered by NICT】

Lowering the effective work function via oxygen vacancy formation on the GeO₂/Ge interface

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Lee Tae In

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(School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, South Korea)

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Ahn Hyun Jun

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資料名：

Solid-State Electronics (Solid-State Electronics)

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巻： 130 ページ： 57-62 発行年： 2017年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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高k誘電体とGe基板間のGeO_2界面層(IL)の使用は,Ge MOSデバイスの界面状態密度を低減するのに役立つ。は,高k誘電体堆積後アニールしたときGeO_2ILの存在は,ゲートスタックの実効仕事関数(eWF)を変化させることを報告する。eWFは,TaNの4.31eVから3.98eVへとNiの5.00eVから4.44eVへ減少した。,しきい値電圧(V_th)を,ポスト堆積アニーリング後のNiの0.69Vから0.21Vに減少した。著者らの研究は,Ge基板近傍GeO_2IL中の酸素空格子点の生成はeWF変調の主な原因であることを確認した。さらに,GeO_2ILの信頼性をコンダクタンス法と定電流ストレス試験により調べた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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