Lee Tae In について
School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, South Korea について
Seo Yujin について
School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, South Korea について
Moon Jungmin について
School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, South Korea について
Ahn Hyun Jun について
School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, South Korea について
Yu Hyun-Young について
School of Electrical Engineering, Korea University, Anam-Dong, Seongbuk-Gu, Seoul 136-713, South Korea について
Hwang Wan Sik について
Department of Materials Engineering, Korea Aerospace University, Goyang 412-791, South Korea について
Cho Byung Jin について
School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, South Korea について
Solid-State Electronics について
焼なまし について
界面 について
信頼性 について
コンダクタンス について
ニッケル について
仕事関数 について
電流ストレス について
閾値電圧 について
ゲートスタック について
界面状態密度 について
界面層 について
ゲルマニウム基板 について
高k誘電体 について
酸素空格子点 について
ゲルマニウム について
GeO_2 について
有効仕事関数 について
MOSFET について
しきい値電圧 について
酸素空格子点 について
酸化物薄膜 について
半導体集積回路 について
金属-絶縁体-金属構造 について
Ge について
界面 について
酸素空格子点 について
仕事関数 について