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J-GLOBAL ID：201702226574186054   整理番号：17A1020032

シリコン中の空格子点と空格子点-酸素クラスタ化のためのab initio計算とレート方程式シミュレーション【Powered by NICT】

Ab initio calculations and rate equation simulations for vacancy and vacancy-oxygen clustering in silicon

著者 (6件)： Kissinger G. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Dabrowski J. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Sinno T. (University of Pennsylvania, Department of Chemical and Biomolecular Engineering, 220 S 33rd St., Philadelphia, PA 19104, USA) ,  Yang Y. (University of Pennsylvania, Department of Chemical and Biomolecular Engineering, 220 S 33rd St., Philadelphia, PA 19104, USA) ,  Kot D. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Sattler A. (Siltronic AG, Hanns-Seidel-Platz 4, 81737 Muenchen, Germany)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 424-432  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶Si中の空格子点クラスタV_(1≦n≦11)と酸素との錯体V_O_m(1≦m≦14)の形成エネルギーを,一般化勾配近似(GGA)内のab initio密度汎関数理論(DFT)によって計算し,急速熱アニーリング(RTA)後に空格子点凝集の過程とSi中のバルク微小欠陥(BMD)の形成をシミュレートするために使用した。1000°C以下でのRTAとそれに続くアニーリング後の空格子点凝集のレート方程式モデリングを行い,結果は,異なるセルサイズで得られた結合エネルギーを比較した。Czochralskiシリコンでは,空格子点と格子間酸素間の相互作用を考慮に入れなければならない。CzochralskiシリコンにおけるBMD形成は速度方程式の大規模系,BMDのサイズと形状,温度,点欠陥濃度の関数としてBMDの自由エネルギーを説明するから成る連続体モデルによりモデル化した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *レート方程式 ,  自由エネルギー ,  焼なまし ,  *酸素 ,  *ケイ素 ,  *クラスタ化 ,  大規模系 ,  RTA【熱処理】 ,  点欠陥 ,  凝集 ,  *クラスタ ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： 一般化勾配近似 ,  形成エネルギー ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1欠陥 ,  A1点欠陥 ,  A2Czochralski法 ,  B2半導体シリコン

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  空格子点 ,  酸素 ,  クラスタ化 ,  計算 ,  レート方程式 ,  シミュレーション