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J-GLOBAL ID：201702226659099729   整理番号：17A1020113

GaNの流速変調エピタクシーにおける表面過飽和【Powered by NICT】

Surface supersaturation in flow-rate modulation epitaxy of GaN

著者 (4件)： Akasaka Tetsuya (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Lin Chia-Hung (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Yamamoto Hideki (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Kumakura Kazuhide (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 821-826  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N面GaN(0001 )膜上の小丘はIII族原料流量変調エピタキシー(FME)によって効率的に除去し,III族源の流速はNH_3の一定供給下で変調される。III族原料FMEによって得られたヒロックのない滑らかな表面がステップフロー成長の増強に起因した。ヒロックはマイクロパイプに起因し,マイクロパイプ周辺の螺旋成長により成長することが分かった。スパイラル成長速度は表面過飽和σの度の減少と共に急速に減少するが,ステップフロー成長速度は直線的に減少した。III族原料FMEに対して,σが従来の連続成長よりも低いが,スパイラル成長速度はステップフロー成長よりも低いできたヒロックの形成は抑制された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *過飽和 ,  成長速度 ,  *窒化ガリウム ,  流量 ,  高速度 ,  *流速 ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： ナノパイプ ,  ヒロック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A3有機金属気相エピタクシー ,  A3選択的エピタクシー ,  B1窒化物 ,  B2半導性ガリウム化合物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  流速 ,  変調 ,  エピタクシー ,  過飽和