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J-GLOBAL ID：201702226686724180   整理番号：17A1390949

磁場-パルスプラズマ援用化学気相成長法を用いたa-SiCN隔膜に対するパルスパラメータ変化が及ぼす影響

著者 (3件)： 村野正典 (近畿大) ,  松谷貴臣 (近畿大) ,  川崎忠寛 (ファインセラミックスセ)
資料名： 電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集(CD-ROM)  (電気学会基礎・材料・共通部門大会(CD-ROM))
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.19-P-19  発行年： 2017年09月19日 
JST資料番号： L3783B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  炭化ケイ素 ,  隔膜 ,  プラズマ ,  磁場 ,  パルス ,  パラメータ ,  *透過型電子顕微鏡

分類 (2件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 磁場 ,  パルスプラズマ ,  援用 ,  化学気相成長法 ,  隔膜 ,  パルス ,  パラメータ