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J-GLOBAL ID：201702226772742569   整理番号：17A0795060

ドリフト-拡散アプローチを用いたデカナノメータnMOSFETのホットキャリア劣化モデリング【Powered by NICT】

Hot-Carrier Degradation Modeling of Decananometer nMOSFETs Using the Drift-Diffusion Approach

著者 (8件)： Sharma Prateek (Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Vienna, Austria) ,  Tyaginov Stanislav (Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Vienna, Austria) ,  Rauch Stewart E. (GlobalFoundries, Poughkeepsie, NY, USA) ,  Franco Jacopo (International Medical Equipment Collaborative, Leuven, Belgium) ,  Makarov Alexander (Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Vienna, Austria) ,  Vexler Mikhail I. (Russian Academy of Sciences, Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Kaczer Ben (International Medical Equipment Collaborative, Leuven, Belgium) ,  Grasser Tibor (Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Vienna, Austria)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 2  ページ： 160-163  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 以前に示唆されたドリフト-拡散(DD)をベースにしたホットキャリア劣化モデルを拡張しデカナノメータトランジスタの1例。電子-電子散乱の効果,キャリア分布関数の高エネルギー尾部を存在する,速度バランス方程式を用いて注目した。Boltzmann輸送方程式と実験データの球面調和関数展開から得られた結果とDDベースモデルの結果を比較した。もDDベースモデルの適用性の精度と限界を研究し,このモデルは優れた精度で65~300nmの範囲のゲート長のnMOSFETにおけるホットキャリア劣化を捉えることができることを結論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分布関数 ,  適応性 ,  *モデリング ,  *ドリフト ,  モデル ,  球面調和関数 ,  *ホットキャリア
準シソーラス用語： ゲート長 ,  輸送方程式 ,  高エネルギー ,  電子-電子散乱 ,  劣化モデル ,  *nMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドリフト ,  拡散 ,  ナノメータ ,  nMOSFET ,  ホットキャリア ,  モデリング