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J-GLOBAL ID:201702226787477168   整理番号:17A1102565

多結晶シリコンウェハーのレーザテクスチャのための異方性エッチング

Anisotropic etching for laser texturing of multicrystalline silicon wafer
著者 (3件):
資料名:
巻: 645  ページ: 497-504  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0877A  ISSN: 1542-1406  CODEN: MCLCE9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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シリコン系太陽電池の効率を増すために,表面上の反射による損失を減らす必要がある。セル効率は,反射率がより低くなるとより高くなる。著者らは,多結晶シリコンウェハーの光反射による損失を減らすための手段としてレーザアブレーションと異方性アルカリエッチングによってテクスチャ処理を試みた。この手段によって太陽電池のセル効率は,4.6%から12.6%に増加する。処理したウェハー表面の組成分析は,エネルギー分散X線分光法によって行い,表面の変化は走査型電子顕微鏡によって観察した。
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分類 (2件):
分類
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太陽電池  ,  その他の表面処理 
タイトルに関連する用語 (5件):
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