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J-GLOBAL ID：201702226955575313   整理番号：17A0848307

選択的に修飾された量子ドットを用いた,ジュール加熱されたシリコンのマイクロ/ナノワイヤの温度測定

Temperature measurement of Joule heated silicon micro/nanowires using selectively decorated quantum dots

著者 (6件)： YUN Jeonghoon (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  AHN Jae-Hyuk (Kwangwoon Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Bong Jae (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  MOON Dong-Il (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  CHOI Yang-Kyu (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  PARK Inkyu (Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 50  ページ： 505705,1-8  発行年： 2016年12月16日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度感知プローブとして選択的に堆積した量子ドット(QD)を利用して,マイクロ/ナノスケール領域の局所的温度を測定する新しい方法を開発し,ジュール加熱されたシリコンマイクロワイヤ(SiMW)およびシリコンナノワイヤ(SiNW)の温度を測定した。この方法では,強く集光した励起ビームも高い空間分解能を有するプローブも必要ない。SiMW/SiNWのジュール加熱によるポリメチルメタクリレート層の分解と,引き続くQDの堆積とリフトオフという手順により,SiMWおよびSiNWの表面上のみをQDが選択的に被覆する。ジュール加熱されたSiMWおよびSiNWの温度は,選択的に堆積したQDの光ルミネセンスのピークシフトの温度依存により測定できる。得られた温度の有効性は数値シミュレーションの結果と比較して確認された。提案する方法は,広い範囲の電気および光学素子のための局所的温度のマイクロ/ナノスケール測定を実現する可能性がある。

シソーラス用語： *量子ドット ,  *ケイ素 ,  ナノワイヤ ,  *細線 ,  *温度測定 ,  局所性 ,  抵抗加熱 ,  被覆 ,  高分子膜 ,  *光ルミネセンス ,  SOI構造 ,  セレン化カドミウム ,  硫化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： マイクロワイヤ ,  Joule加熱 ,  ポリメチルメタクリレート膜 ,  保護層

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 修飾 ,  量子ドット ,  ジュール加熱 ,  シリコン ,  ナノワイヤ ,  温度測定