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J-GLOBAL ID：201702227061793484   整理番号：17A1125373

ZrO_2における酸素polyvacanciesの原子構造と電子構造【Powered by NICT】

Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO₂

著者 (4件)： Perevalov T.V. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 13 Lavrentiev ave., 630090 Novosibirsk, Russia) ,  Perevalov T.V. (Novosibirsk State University, 2 Pirogov str., 630090 Novosibirsk, Russia) ,  Islamov D.R. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 13 Lavrentiev ave., 630090 Novosibirsk, Russia) ,  Islamov D.R. (Novosibirsk State University, 2 Pirogov str., 630090 Novosibirsk, Russia)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 178  ページ： 275-278  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッド密度汎関数理論の枠内での量子化学シミュレーションを用いた酸素欠損結晶ジルコニアを調べた。ZrO_2中の酸素空格子点が両性欠陥であり,それは電子と正孔のトラップとして働くことができることを示した。ZrO_2における酸素多空孔の最もエネルギー的に有利な空間配置を計算した。は個々の空格子点が既存の一つに近い形成し,2以上がO原子を除去し,Zr原子に関連しないことが分かった。導電性フィラメントとして作用し,抵抗スイッチングに関与する酸素多重空格子の能力を考察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化ジルコニウム ,  量子化学 ,  *酸素 ,  *原子構造 ,  *ジルコニウム ,  シミュレーション ,  *電子構造 ,  結晶 ,  正孔 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  導電性フィラメント ,  空間配置 ,  酸素空格子点 ,  酸素欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ジルコニア ,  酸素空格子点 ,  Polyvacancy ,  密度汎関数理論 ,  欠陥状態 ,  Localization

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸素 ,  原子構造 ,  電子構造