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J-GLOBAL ID：201702227078137367   整理番号：17A1623917

蒸着後熱アニーリングによるナノ結晶性水素化シリコン薄膜の改善された熱電特性【Powered by NICT】

Improved thermoelectric properties of nanocrystalline hydrogenated silicon thin films by post-deposition thermal annealing

著者 (9件)： Loureiro Joana (i3N/CENIMAT, Department of Materials Science, Faculty of Science and Technology, Universidade NOVA de Lisboa, Campus de Caparica, 2829-516 Caparica, Portugal) ,  Mateus Tiago (i3N/CENIMAT, Department of Materials Science, Faculty of Science and Technology, Universidade NOVA de Lisboa, Campus de Caparica, 2829-516 Caparica, Portugal) ,  Filonovich Sergej (i3N/CENIMAT, Department of Materials Science, Faculty of Science and Technology, Universidade NOVA de Lisboa, Campus de Caparica, 2829-516 Caparica, Portugal) ,  Ferreira Marisa (i3N/CENIMAT, Department of Materials Science, Faculty of Science and Technology, Universidade NOVA de Lisboa, Campus de Caparica, 2829-516 Caparica, Portugal) ,  Figueira Joana (i3N/CENIMAT, Department of Materials Science, Faculty of Science and Technology, Universidade NOVA de Lisboa, Campus de Caparica, 2829-516 Caparica, Portugal) ,  Rodrigues Alexandra (i3N/CENIMAT, Department of Materials Science, Faculty of Science and Technology, Universidade NOVA de Lisboa, Campus de Caparica, 2829-516 Caparica, Portugal) ,  Donovan Brian F. (Department of Physics, United States Naval Academy, Annapolis, MD 21402, USA) ,  Hopkins Patrick E. (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904, USA) ,  Ferreira Isabel (i3N/CENIMAT, Department of Materials Science, Faculty of Science and Technology, Universidade NOVA de Lisboa, Campus de Caparica, 2829-516 Caparica, Portugal)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 642  ページ： 276-280  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ増強化学蒸着により堆積した,nおよびp型ナノ結晶水素化シリコン薄膜の熱電特性に及ぼす蒸着後の熱アニーリングの影響を研究した。アニーリング温度,真空下では400°Cまで増加したp型膜の力率は7×10~ 5から4×10~ 4(m.K~2)に向上した一方で,n型膜では小さな影響を持っている。460μV/Kと 320μV/Kの最適Seebeck係数の値は,それぞれp型およびn型膜で達成した10~nmの範囲の結晶サイズをもつ室温で顕著な低熱伝導率値(<10W.m~ 1.K~ 1)をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *蒸着 ,  力率 ,  熱伝導率 ,  *ナノ結晶 ,  プラズマCVD ,  *水素化 ,  *結晶 ,  *焼なまし ,  化学蒸着
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  アニーリング温度 ,  *熱電特性 ,  *シリコン薄膜 ,  *熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 熱電 ,  アニーリング ,  化学蒸着 ,  nc-Si:H

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸着 ,  熱アニーリング ,  ナノ結晶 ,  水素化 ,  シリコン薄膜 ,  熱電特性