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J-GLOBAL ID：201702227325312618   整理番号：17A0381609

低圧乾式移送法によるナノ共振器を用いたグラフェンドラム共振器の開発【Powered by NICT】

Development of graphene drum resonator with nanocavity by low-pressure dry transfer technique

著者 (4件)： Ishida Hayato (Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Japan) ,  Iwata Tatsuya (Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Japan) ,  Sawada Kazuaki (Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Japan) ,  Takahashi Kazuhiro (Toyohashi University of Technology, Toyohashi, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 928-931  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧乾式転写法を用いて空洞密閉単層グラフェンドラム共振器を開発し,犠牲層エッチングプロセスを用いない。ギャップ長810nmの最大直径45μmが得られた。懸濁グラフェンのRamanスペクトルは,1.73といくつかのDピークの2D/G比であることが分かった。ドライ移動技術を,密封されたナノ共振器をもつ平坦なデバイス表面,グラフェンとTi/Au電極をパターン化するために標準的なフォトリソグラフィーのための直径6μmまで使用できるを提供した。は直径30~45μmの品質係数約300の0.74~1.36MHzの基本共鳴周波数範囲を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共振周波数 ,  パターン形成 ,  *低圧 ,  フォトリソグラフィー ,  *微小共振器 ,  *グラフェン ,  *共振器 ,  Ramanスペクトル
準シソーラス用語： 品質係数 ,  犠牲層 ,  単層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低圧 ,  移送 ,  ナノ共振器 ,  共振器 ,  開発