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J-GLOBAL ID：201702227386149673   整理番号：17A1810825

n形超微結晶ダイヤモンド/水素化非晶質炭素複合膜およびp型シリコン基板を含むヘテロ接合ダイオードの温度依存電流-電圧特性および紫外光検出

Temperature-dependent current-voltage characteristics and ultraviolet light detection of heterojunction diodes comprising n-type ultrananocrystalline diamond/hydrogenated amorphous carbon composite films and p-type silicon substrates

著者 (3件)： ZKRIA Abdelrahman (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ZKRIA Abdelrahman (Aswan Univ., Aswan, EGY) ,  YOSHITAKE Tsuyoshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 7S2  ページ： 07KD04.1-07KD04.4  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 微結晶 ,  *ナノ結晶 ,  *炭素材 ,  ウエハ【IC】 ,  ヘテロ接合 ,  *ダイオード ,  *電流電圧特性 ,  *光検出
準シソーラス用語： *ナノ結晶ダイヤモンド ,  *非晶質炭素 ,  シリコン基板 ,  *紫外線検出

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (11件)： 微結晶 ,  ダイヤモンド ,  水素化 ,  非晶質炭素 ,  複合膜 ,  P型シリコン基板 ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  温度依存 ,  電圧特性 ,  紫外光