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J-GLOBAL ID：201702227526060617   整理番号：17A1641120

GaN FETにおけるゲート誘電体としてAlSiOの最初の実証:高性能OG FETへの応用【Powered by NICT】

First Demonstration of AlSiO as Gate Dielectric in GaN FETs; Applied to a High Performance OG-FET

著者 (6件)： Gupta Chirag (Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Chan Silvia H. (Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Agarwal Anchal (Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Hatui Nirupam (Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Keller Stacia (Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Mishra Umesh K. (Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 11  ページ： 1575-1578  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート誘電体は,GaNベーストランジスタの性能と信頼性を進める上で重要な役割を果たしている。酸化アルミニウム(Al_2O_3)誘電体のSi合金化はGaNのゲート誘電体特性を改善するための有望なルートを提供することが示されている。本短報において,筆者らはゲート誘電体として酸化アルミニウムシリコン(AlSiO)を持つGaN FETの最初の実証を報告した。垂直ノーマリオフGaN MOSFETは,バルクGaN基板上に作製した。優れたdc性能は1.2kVの破壊電圧,2mΩ.cm~2のオン抵抗,及び 1.5V(I_DS=1μA/mmで定義された)のしきい値電圧を達成した。2.3MV/cmの高い絶縁破壊電場は,これらのデバイスで計算した。垂直GaN MOSFETの結果に加えて,Al_2O_3とAlSiOベースin situ GaN MOSキャパシタの比較研究,時間依存絶縁破壊特性をも示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *誘電体 ,  *窒化ガリウム ,  コンデンサ ,  MOSFET ,  信頼性 ,  オン抵抗 ,  時間依存性 ,  酸化アルミニウム ,  *ゲート絶縁膜 ,  絶縁破壊 ,  ケイ素合金 ,  電場
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  FET ,  ゲート誘電体 ,  実証 ,  高性能 ,  Og ,  応用