Yang Jin について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China について
Huang Jian について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China について
Ji Huanhuan について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China について
Tang Ke について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China について
Zhang Lei について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China について
Ren Bing について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China について
Cao Meng について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China について
Wang Linjun について
School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China について
Materials Science in Semiconductor Processing について
基板温度 について
移動度 について
六方晶系 について
ドーピング について
スパッタリング について
キャリア密度 について
電気抵抗率 について
酸化亜鉛 について
光学ギャップ について
マグネトロンスパッタリング について
優先配向 について
電力 について
RFスパッタリング について
ホウ素 について
光透過率 について
ホウ素およびガリウムを同時ドープしたZnO について
マグネトロンスパッタリング について
RF電力 について
酸化物薄膜 について
固体デバイス材料 について
ホウ素 について
ガリウム について
ドープ について
ZnO について
RF電力 について
基板温度 について