文献

J-GLOBAL ID：201702227675714184   整理番号：17A1447363

抵抗スイッチングメモリデバイスにおける利用のための中空グラフェンナノ構造のトップダウン合成【Powered by NICT】

Top-Down Synthesis of Hollow Graphene Nanostructures for Use in Resistive Switching Memory Devices

著者 (10件)： Anoop Gopinathan (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea) ,  Kim Tae Yeon (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea) ,  Lee Hye Jeong (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea) ,  Panwar Varij (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea) ,  Panwar Varij (Department of Electronics & Communication Engineering, Graphic Era University, Clement Town, Dehradun, Uttarakhand, 248002, India) ,  Kwak Jeong Hun (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea) ,  Heo Yeong-Jae (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea) ,  Yang Jin-Hoon (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea) ,  Lee Joo Hyoung (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea) ,  Jo Ji Young (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-Dong, Buk-Gu, Gwangju, 61005, South Korea)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 10  ページ： ROMBUNNO.201700264  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中空ナノ構造は,そのようなナノ構造の狭い幅から生じる量子閉じ込め効果のために広い範囲の潜在的な応用を示した。2D材料の中空ナノ構造を合成するために挑戦的である。高度に配向した熱分解黒鉛ターゲットからの高品質中空グラフェンナノ構造を合成するための提案した容易なトップダウンアプローチ。数層グラフェンナノリング(GNR)から成る中空グラフェンナノ構造は,液体技術におけるレーザアブレーションを用いたアセトンとポリ(4-ビニルピリジン)(P4VP)で合成した。層状GNRの密度汎関数理論計算は,それらのバンドギャップは層の数の増加と共に収束することを示した。デバイス応用における使用のために合成したNRの実現可能性を実証するために,Pt/GNRs-P4VP/インジウムスズオキシド構造を持つ柔軟な二端子素子を作製した;デバイスは優れたメモリ特性を示し,オン/オフ比2×10~4であり,10~5sである保持時間これらの結果は,レーザアブレーションによる有機溶媒中での均一なバンドギャップ調節したGNRを合成するスケーラブルな方法で高密度,低コストの不揮発性メモリを実現するための優れた方法であることを示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  有機溶媒 ,  バンドギャップ ,  レーザアブレーション ,  *記憶装置 ,  量子閉込め ,  *グラフェン ,  保持時間 ,  パイログラファイト ,  不揮発性メモリ ,  脂肪族ケトン
準シソーラス用語： 高密度 ,  高品質 ,  *トップダウン ,  *抵抗スイッチングメモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 密度汎関数理論計算 ,  グラフェンナノリング ,  中空ナノ構造 ,  量子閉込め効果

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G) ,  レーザの応用  (BD04100V)

物質索引 (1件)： アセトン

タイトルに関連する用語 (5件)： 抵抗スイッチングメモリ ,  中空 ,  グラフェン ,  ナノ構造 ,  トップダウン