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J-GLOBAL ID：201702227680953513   整理番号：17A1555156

パッケージのKaバンドミリ波送受信システムの熱応力協調シミュレーション【Powered by NICT】

Thermal-stress co-simulation of a Ka-band millimeter-wave T/R System in Package

著者 (7件)： Xu Gang (Research Center of Microwave and Millimeter wave Technology, Institute of Electonic Engineering, Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Zhong Wei (Research Center of Microwave and Millimeter wave Technology, Institute of Electonic Engineering, Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Zeng Rong (Research Center of Microwave and Millimeter wave Technology, Institute of Electonic Engineering, Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Li Zhaorong (Research Center of Microwave and Millimeter wave Technology, Institute of Electonic Engineering, Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Huang Xuejiao (Research Center of Microwave and Millimeter wave Technology, Institute of Electonic Engineering, Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Li Zhipeng (Research Center of Microwave and Millimeter wave Technology, Institute of Electonic Engineering, Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China) ,  Lv Liming (Research Center of Microwave and Millimeter wave Technology, Institute of Electonic Engineering, Academy of Engineering Physics, Mianyang, 621900, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEPT  ページ： 436-439  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Kaバンドレーダのためのパッケージ(SiP)におけるミリ波送受信システムのシミュレートされた熱応力をANSYS Workbenchコードを用いて行った。T/R SiPは層による積層,シリコンsubstractesとモリブデン-銅板を通過するアルミニウム合金共振器に伝搬したチップから発生した熱流束は四層高抵抗率シリコン基板上の基礎である。シミュレーションでは,増幅の熱出力は3.3W,三周波数逓倍器の冪としてのセットであり,三LNAはそれぞれチップ当たり0.9Wと0.625W,七チップの全tharmalパワーは約7.9Wであった。過渡熱解析も行った,シミュレートされた結果は,SiPの温度は研究開始後約千秒で定常状態に上昇していることを示し,SiPの最高温度は約60°Cであり,高温点は電力増幅チップ上のlocaledである。熱応力も定常温度分布でシミュレートした,最大応力は682MPaであるとモリブデン-銅板の端部に位置し,これはモリブデン-銅とアルミニウム合金材料の間の熱膨張係数の差が大きいことによる。ワーピングによるシリコン基板の応力はSiPにおける最も可能性のある亀裂リスクが,シリコン幅木の最大応力は約136MPaであり,それは埋め込みチップのためのシリコンMEMS共振器の上端に位置し,応力がシリコン材料の亀裂強度以下であった。隣接したシリコン層の間の結合領域に法線応力が13MPaから40MPaまでの範囲にあり,これは積層接着強さを超えなかった。シミュレーションから,SiPの熱と構造信頼をチェックした,これはSiP作業中の破壊リスクを低減する助けとなる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *熱応力 ,  温度分布 ,  ケイ素 ,  熱流束 ,  接着強さ ,  *EHF波 ,  電気抵抗率 ,  熱膨張係数 ,  アルミニウム合金 ,  電力 ,  亀裂 ,  共振器
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  銅板 ,  システムインパッケージ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (6件)： パッケージ ,  Kaバンド ,  ミリ波 ,  送受信 ,  熱応力 ,  協調シミュレーション