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J-GLOBAL ID：201702227696051404   整理番号：17A1645843

ゲート設計されたトライゲートSON MOSFETの三次元解析的モデル化【Powered by NICT】

3-D analytical modeling of gate engineered tri-gate SON MOSFET

著者 (3件)： Banerjee Pritha (Department of Electronics &Telecommication Engineering, Jadavpur University, Kolkata-700032, India) ,  Mahajan Aman (Department of Electronics &Telecommication Engineering, Jadavpur University, Kolkata-700032, India) ,  Sarkar Subir Kumar (Department of Electronics &Telecommication Engineering, Jadavpur University, Kolkata-700032, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DevIC  ページ： 437-440  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ゲート操作ゲートシリコン-オン-ナッシング(SON)MOSFETの三次元解析モデルを提示した。三次元Poisson方程式を解いて,素子の表面電位分布を得た。添加では,デバイスのしきい値電圧と電場の結果も示した。さらにホットキャリア効果,しきい値電圧ロールオフのような種々の短チャネル効果に対する提案したデバイスの応答を調べた。ATLAS,SILVACOからの三次元デバイスシミュレータから得られたシミュレーション結果を用いて検証した解析的結果。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電位分布 ,  短チャネル効果 ,  ホットキャリア ,  *MOSFET ,  *三次元 ,  *モデリング ,  Poisson方程式 ,  シミュレーション ,  *モデル ,  電場
準シソーラス用語： デバイスシミュレータ ,  ロールオフ ,  閾値電圧 ,  *三次元解析 ,  *トライゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  設計 ,  トライゲート ,  SON ,  MOSFET ,  三次元解析 ,  モデル化