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J-GLOBAL ID:201702227721395486   整理番号:17A1445030

OH官能化シリコンナノ結晶におけるバンドギャップ工学:表面官能基化と量子閉込めの間の相互作用【Powered by NICT】

Bandgap Engineering in OH-Functionalized Silicon Nanocrystals: Interplay between Surface Functionalization and Quantum Confinement
著者 (6件):
資料名:
巻: 27  号: 37  ページ: ROMBUNNO.201701898  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,シリコンナノ結晶(Si NCs)の準バンド構造の系統的第一原理研究を提供し,電子状態の量子閉じ込めを組み合わせたOH表面官能化によるバンドギャップ工学に焦点を当てた。バンドギャップ,Si-NC直径,および水酸化被覆の程度の間のマッピングを提供し,これはバンドギャップ工学のための指針として利用できる。第一原理計算を補完して,量子閉じ込め領域におけるSi-NCの光ルミネセンス(PL)波長は1と4nm間の明確な直径で測定した。Si-NCはマイクロプラズマ法を用い,OH基とSi-NC表面の界面活性剤を含まない工学を可能にするによって調製した。マイクロプラズマ処理技術はOH被覆率の程度を徐々に変化させることを可能にし,PLスペクトルの発光を100nmまでによる長波長側へ徐々にすることを可能にした。第一原理計算はOH被覆率に波長の実験的に観察された依存性と一致し,PL赤方偏移は,Si-NCと官能基の間の電荷移動により決定されることを示し,一方表面歪はわずかな役割を果たしている。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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発光素子  ,  光伝導,光起電力  ,  無機化合物のルミネセンス 

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