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J-GLOBAL ID：201702227749775022   整理番号：17A0633055

SiO₂およびZrO₂基板上のMoS₂電界効果トランジスタの化学気相成長

Investigation of chemical vapour deposition MoS₂ field effect transistors on SiO₂ and ZrO₂ substrates

著者 (5件)： LIU Xi (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  LIU Xi (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CHAI Yang (Hong Kong Polytechnic Univ., HKG) ,  LIU Zhaojun (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  LIU Zhaojun (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 16  ページ： 164004,1-7  発行年： 2017年04月21日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積回路(IC)技術の開発により,トランジスタの規模が劇的に縮小され,小型チップの性能が多くのモバイルエレクトロニクスの標準を満たしている。本研究では,Zr0₂誘電体基板上に成長させた直接化学堆積により,小規模で低消費電力のMoS₂トランジスタを実証した。MoS₂/Si₂デバイスと比較して,MoS₂/ZrO₂トランジスタは,寸法と性能の包括的な改善を示した。長チャネルトランジスタが短チャネルよりも良好に動作することを発見した。このトランジスタのオン/オフ比は10⁸,サブスレッショルドスイングは0.1V/dec,移動度は64.66cm²・V^-1・s^-1で,-4Vから4Vまでの低作動電圧で使用できた。これらの特徴は,このトランジスタが携帯用およびウェアラブル電子機器の要件を満たすことを保証した。

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,  酸化ジルコニウム ,  *硫化モリブデン ,  *FET【トランジスタ】 ,  *化学蒸着 ,  *集積回路 ,  消費電力 ,  *特性
準シソーラス用語： 二酸化ジルコニウム ,  二硫化モリブデン ,  電界効果トランジスタ ,  化学気相成長 ,  低消費電力 ,  *デバイス特性

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiO2 ,  ZrO2 ,  MoS2 ,  電界効果トランジスタ ,  化学気相成長