文献

J-GLOBAL ID：201702227774577672   整理番号：17A1181660

28nmバルクNMOSFETにおける線形から飽和領域からのドレイン電流の局所変動【Powered by NICT】

Drain current local variability from linear to saturation region in 28nm bulk NMOSFETs

著者 (6件)： Karatsori T.A. (IMEP-LAHC, INPG - Minatec, 3 Parvis Louis Neel, CS 50257, 38016 Grenoble, France) ,  Karatsori T.A. (Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, Thessaloniki 54124, Greece) ,  Theodorou C.G. (IMEP-LAHC, INPG - Minatec, 3 Parvis Louis Neel, CS 50257, 38016 Grenoble, France) ,  Haendler S. (STMicroelectronics, BP16, 38921 Crolles, France) ,  Dimitriadis C.A. (Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, Thessaloniki 54124, Greece) ,  Ghibaudo G. (IMEP-LAHC, INPG - Minatec, 3 Parvis Louis Neel, CS 50257, 38016 Grenoble, France)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 128  ページ： 31-36  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,28nmバルクMOSFETにおけるドレイン電流変動性に及ぼすソース-ドレイン直列抵抗不整合の影響を調べた。初めて,線形と飽和領域におけるしきい値電圧(V_t),ドレイン電流利得係数(β)とソース-ドレイン直列抵抗(R_SD)の局所ゆらぎを含む不整合モデルを提示した。さらに,ソース-ドレイン直列抵抗不整合の影響は飽和領域では減弱され,直列抵抗変動に及ぼすドレイン電流変動の弱い感度に起因することを実証した。実験の結果は,MOSFETパラメータV_t,β及びR_SDの感度解析を用いたドレイン電流特性の数値シミュレーションによって検証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 利得 ,  不整合 ,  ゆらぎ ,  *線形性 ,  感度解析 ,  モデリング ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  利得係数 ,  閾値電圧 ,  直列抵抗 ,  *ドレイン電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： Mismatch ,  局所変動 ,  しきい値電圧 ,  利得因子 ,  ソース-ドレイン直列抵抗 ,  モデリング ,  28nmバルク ,  CMOS

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  nMOSFET ,  線形 ,  飽和領域 ,  ドレイン電流