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J-GLOBAL ID：201702227788138094   整理番号：17A1640746

優性キャリア変化モデルに基づくゲート誘電体の絶縁破壊機構の再検討【Powered by NICT】

Reconsideration of Dielectric Breakdown Mechanism of Gate Dielectrics on Basis of Dominant Carrier Change Model

著者 (3件)： Okada Kenji (Process Technology Center, TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd., Uozu, Japan) ,  Kamei Masayuki (Process Technology Center, TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd., Uozu, Japan) ,  Ohno Shigeyuki (Process Technology Center, TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd., Uozu, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 11  ページ： 4386-4392  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート誘電体の絶縁破壊機構は3.6~9.5nmの範囲の種々の厚さのSiO_2膜を再考察した。6および6.5nm厚の膜中で比較的低電圧領域で一般的に受け入れられているべき乗則(PL)モデルからの期待よりも異常な寿命(T_BD)低下の検出を実現した注意深い時間依存絶縁破壊(TDDB)測定。正孔と電子のフルエンスの観点破壊(Q_BD,正孔およびQ_BD,el)への分析は,ストレス電圧の低下に伴う正孔から電子に主要なキャリア変化(DCC)を実証した。これらの結果は,DCCモデルを強く支持した。各キャリアは破壊をdominantesがDCCモデルは,応力電圧領域での電子と正孔の応力電圧に依存しない欠陥生成効率を提供するが,PLモデルは,応力電圧依存性効率を提供した。DCCモデルは広範囲の熱化学モデル(Eモデル)を支援するストレス電圧のT_BDの経験的に報告された線形電場(E)依存性を説明するために可能である。DCCモデルも~5nmより厚いゲート誘電体の寿命予測,Eモデルは実際の市場製品の寿命保険に一般的に使用されるに採用できることが期待される。DCCモデルをEモデルと他のモデルより最もデバイスの実際の素子動作条件でのより長い予測TDDB寿命を与えることが期待されると,ゲート誘電体膜のより積極的な利用が実現できる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 正孔 ,  *ゲート絶縁膜 ,  時間依存性 ,  *絶縁破壊 ,  線形性 ,  *モデル ,  予測 ,  フルエンス ,  電場 ,  電圧 ,  寿命予測 ,  電圧依存性
準シソーラス用語： TDDB ,  べき乗則 ,  低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 優性 ,  キャリア ,  モデル ,  ゲート誘電体 ,  絶縁破壊