拡大された吸収領域を持つInGaPベースのInP量子ドット太陽電池

AIHARA Taketo; TAYAGAKI Takeshi; NAGATO Yuki; NAGATO Yuki; OKANO Yoshinobu; SUGAYA Takeyoshi

文献

J-GLOBAL ID：201702227802361635 整理番号：17A0955329

拡大された吸収領域を持つInGaPベースのInP量子ドット太陽電池

InGaP-based InP quantum dot solar cells with extended optical absorption range

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 56 号： 4S ページ： 04CS06.1-04CS06.4 発行年： 2017年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

広帯域の太陽光照射の効果的な光吸収を追求する中で,広いバンドギャップの半導体から成る中間バンドの太陽電池が注目されてきた。この研究において,著者らは広いバンドギャップのInGaPベースのInP量子ドット(QD)太陽電池を開発し,性能を研究した。太陽電池を固体ソースの分子線エピタキシーによって製作し,その光吸収範囲が~850nmまでになることを見いだした。ホストInGaP太陽電池の~680 nmの光吸収範囲よりもその範囲は広い。電圧依存の量子効率の測定を通して,InGaPホスト内に生成した光キャリアが,太陽電池から追い出されるよりも,InP QDsに捕捉されると結論した。この研究の結果は,光キャリアの捕捉を軽減するために中間バンド太陽電池の最適構造開発の必要性に光を当てる。(翻訳著者抄録)

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太陽電池

引用文献 (34件)：

A. Martí, E. Antolín, C. Stanley, C. Farmer, N. López, P. Díaz, E. Cánovas, P. Linares, and A. Luque, Phys. Rev. Lett. 97, 247701 (2006).
D. Guimard, R. Morihara, D. Bordel, K. Tanabe, Y. Wakayama, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 96, 203507 (2010).
C. G. Bailey, D. V. Forbes, R. P. Raffaelle, and S. M. Hubbard, Appl. Phys. Lett. 98, 163105 (2011).
A. Luque, A. Martí, and C. Stanley, Nat. Photonics 6, 146 (2012).
Y. Okada, N. J. Ekins-Daukes, T. Kita, R. Tamaki, M. Yoshida, A. Pusch, O. Hess, C. C. Phillips, D. J. Farrell, K. Yoshida, N. Ahsan, Y. Shoji, T. Sogabe, and J.-F. Guillemoles, Appl. Phys. Rev. 2, 021302 (2015).

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