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J-GLOBAL ID：201702227825785484   整理番号：17A0381648

懸濁及びパラジウム被覆シリコンナノワイヤによる超低電力水素センサ【Powered by NICT】

Ultra-low power hydrogen sensor by suspended and palladium coated silicon nanowire

著者 (4件)： Yun Jeonghoon (Department of Mechanical Engineering, KAIST, Daejeon 305-701, Korea) ,  Ahn Jae-Huyk (Department of Electronic Engineering, Kwangwoon University, Seoul 01897, Korea) ,  Choi Yang-Kyu (Department of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 305-701, Korea) ,  Park Inkyu (Department of Mechanical Engineering, KAIST, Daejeon 305-701, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 1079-1082  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高速応答と回復のための自己加熱による低温水素検出のためのパラジウムナノ粒子で修飾したシリコンナノワイヤセンサを報告した。パラジウム被覆シリコンナノワイヤ(Pd SiNW)の水素ガス応答はPd SiNWのJoule加熱を用いて測定した。Pd SiNWは室温で水素ガスを検出できるが,過渡応答は遅く,湿潤条件下でも遅かった。Pd SiNWの自己加熱は,感度の顕著な変化なしに低電力を消費して応答時間と回復時間を減少させる。電力消費は,基板からのPd SiNWを懸濁することによりサブ100μWに低減した。水素検出に及ぼす湿度の影響は,Joule加熱により減少した。Joule加熱したPd SiNW機器はモバイル機器を適用する有望な水素ガスセンサである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力消費 ,  低温 ,  *パラジウム ,  湿度 ,  抵抗加熱 ,  応答時間 ,  *水素 ,  過渡応答 ,  ガスセンサ
準シソーラス用語： 回復時間 ,  水素ガス ,  自己加熱 ,  高速応答 ,  *水素センサ ,  *シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 懸濁 ,  パラジウム ,  シリコンナノワイヤ ,  超低電力 ,  水素センサ