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J-GLOBAL ID：201702227909657249   整理番号：17A1557653

ScAlMgO_4基板上に成長させたウルツ鉱型ZnOエピ層中の高MgO含有量の達成【Powered by NICT】

Achieving high MgO content in wurtzite ZnO epilayer grown on ScAlMgO₄ substrate

著者 (6件)： Wen M.C. (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan, ROC) ,  Yan T. (Key Laboratory of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou 350002, PR China) ,  Chang L. (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan, ROC) ,  Chou M.M.C. (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan, ROC) ,  Ye N. (Key Laboratory of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou 350002, PR China) ,  Ploog K.H. (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan, ROC)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 477  ページ： 174-178  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウルツ鉱型ZnOとZn_1 xMg_xO(x=0.41 0.66)エピ層をプラズマ支援分子ビームエピタクシーによりScAlMgO_4(SCAM)(0001)基板上に成長させた。X線回折の結果はほとんど認め量岩塩相のみは66%の最も高いMgO含有量を持つエピ層中の存在することを示した。41%および50%MgOエピ層は(0002)wz反射のロッキングカーブの1200 1800”の半値全幅(FWHM)値における合理的な半値幅を示した。しかし,表面形態とFWHM値の両方はMgO量さらに加えるとを低下させる66%であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  半値幅 ,  *酸化マグネシウム ,  岩塩 ,  *酸化亜鉛 ,  プラズマ ,  ロッキングカーブ ,  MBE成長 ,  FWHM
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *エピタキシャル層 ,  *ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1相平衡 ,  A3分子ビームエピタクシー ,  B1Zn1 xMgxO ,  B2半導性II-VI材料 ,  エネルギーギャップ工学

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  ウルツ鉱 ,  ZnO ,  エピ層 ,  MgO ,  含有量