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J-GLOBAL ID：201702227951290458   整理番号：17A1478814

強磁性絶縁体を用いたMTJにおけるMR効果

MR effect in MTJ with ferromagnetic insulator

著者 (5件)： 左手宏毅 (関西大学大学院理工学研究科) ,  伊藤博介 (関西大学大学院理工学研究科) ,  伊藤博介 (大阪大学基礎工学研究科付属スピントロニクス学術連携研究教育センター) ,  本多周太 (関西大学大学院理工学研究科) ,  本多周太 (大阪大学基礎工学研究科付属スピントロニクス学術連携研究教育センター)
資料名： 日本磁気学会論文特集号(Web)  (Transaction of the Magnetics Society of Japan (Special Issues) (Web))
巻： 1  号： 2  ページ： 88-92(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U1184A  ISSN： 2432-0471  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 自由電子モデルを用いて,強磁性金属/非磁性金属/強磁性絶縁体/非磁性金属接合のコンダクタンスと磁気抵抗(MR)比を計算した。強磁性絶縁体のスピンフィルターによりMR効果が生じる。非磁性金属層厚が増加するにつれてMR比の値は振動した。振動周期は非磁性金属のFermi波長によって与えられたので,振動は非磁性金属中の電子波動関数の干渉に起因する。絶縁体層厚増加とともにMR比の極値は飽和した。絶縁体が十分に厚い場合,この飽和値は強磁性絶縁体の材料パラメータに依存しなかった。更に,作成時に生じる可能性がある非磁性金属層厚さの不均一に起因するMR比のばらつきがFermi波長の長い非磁性金属を用いる事で抑制される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 自由粒子 ,  電子 ,  *磁気抵抗効果 ,  多層構造 ,  金属 ,  *強磁性体 ,  絶縁体 ,  コンダクタンス ,  量子干渉効果 ,  膜厚 ,  フィルタ ,  スピン分極 ,  *トンネル接合
準シソーラス用語： 自由電子 ,  強磁性金属 ,  強磁性絶縁体 ,  非磁性金属 ,  スピンフィルタ ,  *磁気トンネル接合

著者キーワード (6件)： tunnel magnetoresistance ,  ferromagnetic insulator ,  spin filter ,  tunnel magnetoresistance ,  ferromagnetic insulator ,  spin filter

分類 (3件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  磁電デバイス  (NC03100X) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

引用文献 (19件)：

• 1) T. Miyazaki and N. Tezuka: J. Magn. Magn. Mat., 139, L231 (1995).
• 2) J. S. Moodera, L. R. Kinder, T. M. Wong, and R. Meservey: Phys. Rev. Lett., 74, 3273 (1995).
• 3) S. S. P. Parkin, C. Kaiser, A. Panchula, P. M. Rice, B. Hughes, M. Samant, and S. H. Yang: Nature Material, 3, 862 (2004).
• 4) S. Yuasa, T. Nagahama, A. Fukushima, Y. Suzuki, and K. Ando: Nature Material, 3, 868 (2004).
• 5) J. C. Slonczewski: J. Magn. Magn. Mat., 159, L1 (1996).

タイトルに関連する用語 (3件)： 強磁性絶縁体 ,  MTJ ,  MR効果