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J-GLOBAL ID：201702227992519527   整理番号：17A1633051

数層van der Waals半導体の垂直誘電スクリーニング【Powered by NICT】

Vertical dielectric screening of few-layer van der Waals semiconductors

著者 (4件)： Koo Jahyun (Department of Physics, Washington University in St. Louis, St. Louis, Missouri 63136, USA. [e-mail]) ,  Gao Shiyuan ,  Lee Hoonkyung ,  Yang Li
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 38  ページ： 14540-14547  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直誘電遮蔽は数層van der Waals二次元(2D)半導体の基本的なパラメータである。しかし,広く受け入れられた知恵は垂直誘電遮蔽厚さに敏感であることを主張とは異なり,線形応答理論(弱い場の極限以内)に基づく第一原理計算は,このスクリーニングが厚さに依存せず,実際には,対応するバルクの値と同じであることを明らかにした。この結論は広範囲2D常誘電半導体の中に確認され,ナローギャップとワイドギャップをカバーする様々な結晶対称性を持つ,低次元材料の静的誘電遮蔽を計算し,予測するための効率的で信頼性のある方法を提供した。この結論を用いて,ゲート2次元半導体における調整可能なバンドギャップを説明できた。垂直圧力またはハイブリッド構造による層間距離を変化させることにより垂直誘電遮蔽を設計することを提案した。予測した縦型誘電体スクリーニングは実質的に広い範囲測定の理解を単純化することができる,2D機能的デバイスを設計するために重要である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  *半導体 ,  簡素化 ,  二次元 ,  バンドギャップ ,  複合構造 ,  線形応答理論 ,  *スクリーニング ,  層間隔 ,  誘電体
準シソーラス用語： 低次元 ,  結晶対称性 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： VAN ,  垂直 ,  スクリーニング