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J-GLOBAL ID:201702227993841686   整理番号:17A1391822

TSVに基づく3-D IC:設計方法とツール【Powered by NICT】

TSV-Based 3-D ICs: Design Methods and Tools
著者 (6件):
資料名:
巻: 36  号: 10  ページ: 1593-1619  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0142C  ISSN: 0278-0070  CODEN: ITCSDI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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垂直集積回路(3 D ICs)は,近年では遅くなっているMooreの法則スケーリングを活性化可能性がある。三次元積層はデバイスのスケーリングとは無関係により速いトランジスタ密度を達成するために垂直多重金型を積み重ねた新しい技術である。高密度垂直相互接続,相互接続電力と遅延を減少させることができるを提供した。さらに,3D ICは異なる回路技術を統合する単一チップに,二次元技術には存在しない新しいシステムオンチップアーキテクチャを開くことができる。三次元統合は,新しい建築機会と著しい性能向上をもたらすことができるが,電力消費が成長するに伴い新しい熱,電力供給,信号完全性と信頼性挑戦課題が出現すると,密度は増加した。さらに,三次元におけるCPU設計空間の著明な拡張を設計空間探索(DSE)のための新しい建築モデルと方法論を必要とする。これら3 D スペシフ酸課題に対処するために必要である新しい設計ツールと方法。この基調論文は,3-D IC設計ツールと方法の技術,進行中の進歩と将来の挑戦に焦点を当てた。本論文の主要な焦点は,TSVによる3D IC,モノリシック3D ICにおける最近の進歩を考察した。本論文の目的は,特に設計ツールと方法の文脈からの三次元ICによってもたらされた基本的機会と挑戦に関する統一的展望を提供することである。も3D ICにおけるより複雑で相互依存設計問題に対処するためのコデザインの方法論を検討し,3D IC技術を商業ベースにのせるようにする残された課題と克服しなければならない未解決の問題の考察を結論とする。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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半導体集積回路  ,  集積回路一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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