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J-GLOBAL ID：201702228023742886   整理番号：17A0401012

InP基板上に成長させたMnAsナノクラスタを含むInMnAs薄膜の構造と強磁性特性【Powered by NICT】

Structural and ferromagnetic properties of InMnAs thin films including MnAs nanoclusters grown on InP substrates

著者 (5件)： Yoshizawa H. (Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Toyota H. (Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Nakamura S. (Center for Instrumental Analysis, College of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 252-0206, Japan) ,  Yamazaki M. (Department of Electrical and Electronic Systems Engineering, Nagaoka National College of Technology, 888, Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan) ,  Uchitomi N. (Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 622  ページ： 136-141  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InMnAs薄膜の構造,磁気,及び電気特性をInP系スピントロニクスおよび磁気光学集積回路における潜在的応用のためにそれらの強磁性を明らかにした。膜は更なるアニーリング無し220 280°Cの成長温度での分子ビームエピタクシーによるInP基板上に作製した。220°Cで成長した試料を除いて,膜は室温で強磁性を示した。は室温強磁性は主に均一InMnAsマトリックス(InMnAs:MnAs系)中に埋め込まれた六方晶MnAsクラスタの存在によって引き起こされたことを見出した。高分解能透過型電子顕微鏡像は,MnAsナノクラスタは,InMnAsホストマトリックス中の伸長または円形構造を形成することを明らかにした。実験結果は,InMnAs中に埋め込まれた六方晶MnAsの混合系は,InP系スピントロニクスに対する潜在的な強磁性体のビルディングブロックを提供する可能性があることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 磁気 ,  *ナノクラスタ ,  焼なまし ,  *薄膜 ,  六方晶系 ,  スピントロニクス ,  強磁性体 ,  *強磁性 ,  *クラスタ ,  *リン化インジウム ,  MBE成長 ,  HRTEM ,  室温強磁性 ,  成長温度
準シソーラス用語： ビルディングブロック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 分子ビームエピタクシー ,  Arsenides ,  磁性材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  成長 ,  ナノクラスタ ,  薄膜 ,  強磁性