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J-GLOBAL ID：201702228026416376   整理番号：17A0664025

Au/PPy/n-Si (MPS)型Schottky障壁ダイオードの電気特性に対する光誘起の影響の研究

Investigation of photo-induced effect on electrical properties of Au/PPy/n-Si (MPS) type schottky barrier diodes

著者 (6件)： ERSOEZ Guelcin (Duezce Univ., Duezce, TUR) ,  ERSOEZ Guelcin (Rumeli Univ., Istanbul, TUR) ,  YUECEDAG Ibrahim (Duezce Univ., Duezce, TUR) ,  BAYRAKDAR Suemeyye (Duezce Univ., Duezce, TUR) ,  ALTINDAL Semsettin (Gazi Univ., Ankara, TUR) ,  GUEMUES Ahmet (Nigde Univ., Nigde, TUR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 9  ページ： 6413-6420  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機系半導体デバイスの電流伝導メカニズムを解明するため,ポリピロール(PPy)を界面層とする金(Au)/PPy/シリコン(Si)構造のSchottky障壁ダイオード(SBD)を作り,その電流-電圧(I-V)特性を,300Kにおける完全暗黒状態と照明状態で,正と負のバイアス領域で測定し,そこから理想因子n,障壁高さ,直列抵抗R_sのような基本的電子特性を得た。完全暗黒状態と照明状態における実効障壁高さと理想因子nを計算して求めた表面状態のエネルギー密度分布(N_ss)の挙動に基づいて,可能性のある電流伝導メカニズムを提案した。また,nとR_sの高い値を説明するモデルを考察した。光ダイオードとしての開放電圧から,作製した試料が照明に敏感であることと,光ダイオード又は太陽電池として実用化される可能性があることが分かった。

シソーラス用語： *金 ,  *ポリピロール ,  *N型半導体 ,  *ケイ素 ,  半導体金属接合 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *電流電圧特性 ,  *光照射 ,  エネルギー密度 ,  伝導バンド ,  等価回路 ,  エネルギー分布 ,  室温

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： Au ,  MPS ,  型 ,  Schottky障壁ダイオード ,  電気特性 ,  光誘起 ,  研究