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J-GLOBAL ID：201702228059841498   整理番号：17A1482913

Kaufmanイオンビーム源による[001]優先配向したチタン薄膜の応力フリー蒸着【Powered by NICT】

Stress-free deposition of [001] preferentially oriented titanium thin film by Kaufman ion-beam source

著者 (13件)： Gablech Imrich (Central European Institute of Technology, Brno University of Technology, Purkynova 123, CZ-61200 Brno, Czech Republic) ,  Gablech Imrich (Brno University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Communication, Department of Microelectronics, Technicka 3058/10, CZ-61600 Brno, Czech Republic) ,  Caha Ondrej (Central European Institute of Technology, Masaryk University, Kamenice 753/5, CZ-62500 Brno, Czech Republic) ,  Caha Ondrej (Masaryk University, Faculty of Science, Department of Condensed Matter Physics, Kotlarska 2, CZ-60200 Brno, Czech Republic) ,  Svatos Vojtech (Central European Institute of Technology, Brno University of Technology, Purkynova 123, CZ-61200 Brno, Czech Republic) ,  Svatos Vojtech (Brno University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Communication, Department of Microelectronics, Technicka 3058/10, CZ-61600 Brno, Czech Republic) ,  Pekarek Jan (Central European Institute of Technology, Brno University of Technology, Purkynova 123, CZ-61200 Brno, Czech Republic) ,  Pekarek Jan (Brno University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Communication, Department of Microelectronics, Technicka 3058/10, CZ-61600 Brno, Czech Republic) ,  Neuzil Pavel (Central European Institute of Technology, Brno University of Technology, Purkynova 123, CZ-61200 Brno, Czech Republic) ,  Neuzil Pavel (Brno University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Communication, Department of Microelectronics, Technicka 3058/10, CZ-61600 Brno, Czech Republic) ,  Neuzil Pavel (Northwestern Polytechnical University, 127 West Youyi Road, Xi’an, Shaanxi, PR China) ,  Sikola Tomas (Central European Institute of Technology, Brno University of Technology, Purkynova 123, CZ-61200 Brno, Czech Republic) ,  Sikola Tomas (Brno University of Technology, Institute of Physical Engineering, Technicka 2896/2, CZ-61669 Brno, Czech Republic)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 638  ページ： 57-62  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [001]パラメータとして蒸着中の基板温度(T)を用いたKaufmanイオンビーム源により堆積した優先配向したTi薄膜の残留応力を制御し,最小にする方法を提案した。残留応力,対応する格子パラメータ,X線回折とX線反射率測定を用いて堆積膜の厚さを決定した。T≒273°Cで堆積したTi膜は,対応する格子定数を持つ0と0(2.954±0.003)Åと(@@@_002)Åの無応力であったことを示した。無応力試料は優れた結晶品質と純粋な[001]方位を持っている。Ti薄膜は,その表面垂直法線に平行なc軸に配向した。も原子間力顕微鏡により堆積した膜の表面粗さの二乗平均平方根を研究し,これは約0.58nmから約0.71nmの範囲であった。このような平滑と無応力層はマイクロエレクトロメカニカルシステムに適している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チタン ,  MEMS ,  残留応力 ,  *薄膜 ,  格子定数 ,  *イオンビーム ,  原子間力顕微鏡 ,  *蒸着 ,  X線回折 ,  *優先配向 ,  実効値 ,  基板温度
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  X線反射率法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： イオンビームスパッタリング蒸着 ,  Kaufmanイオンビーム源 ,  チタン薄膜 ,  [001]優先配向 ,  残留応力 ,  ロッキングカーブ

分類 (2件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオンビーム ,  優先配向 ,  チタン薄膜 ,  応力 ,  蒸着