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J-GLOBAL ID：201702228065046256   整理番号：17A1777964

低温陽子照射後のpチャネルCCDにおける欠陥の発生と影響【Powered by NICT】

Evolution and Impact of Defects in a p-Channel CCD After Cryogenic Proton-Irradiation

著者 (7件)： Wood Daniel (Department of Physical Sciences, Center for Electronic Imaging, The Open University, Milton Keynes, U.K.) ,  Hall David J. (Department of Physical Sciences, Center for Electronic Imaging, The Open University, Milton Keynes, U.K.) ,  Gow Jason (Department of Physical Sciences, Center for Electronic Imaging, The Open University, Milton Keynes, U.K.) ,  Skottfelt Jesper (Department of Physical Sciences, Center for Electronic Imaging, The Open University, Milton Keynes, U.K.) ,  Murray Neil J. (Dynamic Imaging Analytics, Bletchley Park, Milton Keynes, U.K.) ,  Stefanov Konstantin (Department of Physical Sciences, Center for Electronic Imaging, The Open University, Milton Keynes, U.K.) ,  Holland Andrew D. (Department of Physical Sciences, Center for Electronic Imaging, The Open University, Milton Keynes, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 11  ページ： 2814-2821  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pチャネル電荷結合素子(CCD)は,nチャネルCCDと比較した場合,放射線誘起電荷移動非効率に対して改善された耐性を示すことが示されている。しかし,照射中に形成された欠陥分布は,温度変化による格子エネルギーの違いによる温度依存性であることが期待される。これは二pチャネルe2v CCD204デバイスの欠陥解析,室温で照射した1と1つの低温(153 K)で試験した。解析は単一トラップポンピング法を用いて行った。これらの条件で支配的な電荷捕獲欠陥はシリコン2原子空格子点と炭素格子間欠陥のドナー準位として同定されている。欠陥パラメータは照射後に,約10か月の累積アニール時間までいくつかのその後の室温アニール相後の両方で解析した。も室温と低温の両方のケースからの欠陥分布を用いて,変化は結像性能にどのように影響するか研究するために照射したCCD画素における電荷移動をシミュレートした。結果は極低温照射と焼なましの研究の重要性を示し,室温で照射したデバイス,耐放射線試験のための現在の標準的な手順であると比較した場合,欠陥分布にみられる大規模変動を伴っている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 放射線 ,  格子エネルギー ,  *チャネル ,  温度依存性 ,  *低温 ,  電荷移動 ,  焼なまし ,  画素 ,  *陽子照射 ,  結像 ,  電荷結合素子 ,  極低温 ,  温度変動
準シソーラス用語： ドナー準位 ,  電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温 ,  陽子照射 ,  チャネル ,  CCD ,  欠陥