MOGI M. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
KAWAMURA M. について
RIKEN, Saitama, JPN について
YOSHIMI R. について
RIKEN, Saitama, JPN について
TSUKAZAKI A. について
Tohoku Univ., Miyagi, JPN について
KOZUKA Y. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
SHIRAKAWA N. について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について
TAKAHASHI K. S. について
RIKEN, Saitama, JPN について
TAKAHASHI K. S. について
JST-PRESTO, Tokyo, JPN について
KAWASAKI M. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
KAWASAKI M. について
RIKEN, Saitama, JPN について
TOKURA Y. について
Univ. Tokyo, Tokyo, JPN について
TOKURA Y. について
RIKEN, Saitama, JPN について
Nature Materials について
アキシオン について
素粒子 について
絶縁体 について
量子Hall効果 について
スピン-軌道相互作用 について
素子構造 について
ヘテロ接合 について
磁電素子 について
クロム について
金属 について
ドーピング について
磁気電気効果 について
磁化反転 について
積層構造 について
電気伝導率 について
トポロジカル絶縁体 について
ゼロホールプラトー について
トポロジー絶縁体 について
ヘテロ構造 について
磁気変調ドーピング について
磁性金属 について
磁電デバイス について
界面の電気的性質一般 について
アキシオン絶縁体 について
トポロジ について
絶縁体 について
磁気 について
ヘテロ構造 について