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J-GLOBAL ID：201702228272804268   整理番号：17A1696491

SiC溶液法における坩堝からの炭素の溶解現象と結晶品質の関係-炭素溶解速度と炭素溶解度-

著者 (6件)： 高橋大 (信州大 工) ,  玄光龍 (信州大 工) ,  土本直道 (信州大 工) ,  鈴木皓己 (信州大 工) ,  沓掛穂高 (信州大 工) ,  太子敏則 (信州大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 268(CPM2017 67-78)  ページ： 5-9  発行年： 2017年10月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,SiC溶液法における坩堝からの炭素の溶解現象と,種子付けのタイミングを変えて育成した結晶の品質について検討した。溶解現象は,時間に対する溶媒中の炭素の濃度変化を赤外線吸収法により測定し,炭素の飽和濃度,坩堝からの炭素溶解速度を導出した。炭素溶解速度は,10^-6g/s・cm²オーダーとなり,温度に対し比例して増加した。この結果より,溶媒中の炭素が飽和するまでの時間を見積もり,約12分で飽和することが予想された。これを踏まえ種子付けまでの時間を変化させた結晶育成を行った。その結果,時間が短い場合において質の良い4H-SiC結晶が得られたことから,種子付けタイミングの重要性が明らかになった。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *品質 ,  溶解速度 ,  溶解度 ,  *結晶成長 ,  温度依存性 ,  化合物半導体 ,  半導体材料
準シソーラス用語： *結晶品質

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (10件)：

• SiCパワーデバイス-材料・実装技術と応用-,pp.1-4,(株)東レリサーチセンター,東京,2011.
• 旦野克典,“溶液成長法による無転位4H-SiCバルク結晶成長の試み,”応用物理,Vol.83,pp.993-997,2014.
• 松波弘之,大谷昇,木本恒暢,中村孝,半導体SiC技術と応用 第2版,pp.8-23,25-76,日刊工業新聞社,東京,2011.
• K. Kusunoki, N. Okada, K.Kamei, K. Moriguchi, H.Daikoku, M. Kado, H. Sakamoto and T. Ujihara “Top-seeded solution growth of three-inch-diameter 4H-SiC using convection control technique,”Journal of Crystal Growth. Vol.395, pp.68-73, 2014.
• 村山健太,堀司紗,原田俊太,田川美穂,宇治原徹,“溶液成長法二段階成長によるSiC結晶内の欠陥密度の低減,”先進パワー半導体分科会,Vol.03,P-9,pp.62-63,2016.

タイトルに関連する用語 (9件)： SiC ,  溶液 ,  坩堝 ,  炭素 ,  溶解 ,  現象 ,  結晶品質 ,  溶解速度 ,  溶解度