抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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本研究では,SiC溶液法における坩堝からの炭素の溶解現象と,種子付けのタイミングを変えて育成した結晶の品質について検討した。溶解現象は,時間に対する溶媒中の炭素の濃度変化を赤外線吸収法により測定し,炭素の飽和濃度,坩堝からの炭素溶解速度を導出した。炭素溶解速度は,10
-6g/s・cm
2オーダーとなり,温度に対し比例して増加した。この結果より,溶媒中の炭素が飽和するまでの時間を見積もり,約12分で飽和することが予想された。これを踏まえ種子付けまでの時間を変化させた結晶育成を行った。その結果,時間が短い場合において質の良い4H-SiC結晶が得られたことから,種子付けタイミングの重要性が明らかになった。(著者抄録)