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J-GLOBAL ID：201502223305884233   整理番号：15A0083035

溶液成長法による無転位4H-SiCバルク結晶成長の試み

Development of a dislocation-free 4H-SiC bulk crystal by a solution growth method

著者 (1件)： 旦野克典 (トヨタ自動車)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 83  号： 12  ページ： 993-997  発行年： 2014年12月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 溶液成長によるSiCウェーハの開発状況について解説する。前半はマクロな欠陥の少ない良好なバルク結晶の高速成長について述べる。特に,溶液にCrを添加することによる成長速度の向上や成長面方位,メニスカス形成,結晶形状の制御によるマクロ欠陥の抑制について言及する。後半は,筆者らのグループの結果を中心に転位密度の低減の試みについて解説する。(著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *炭化ケイ素 ,  *溶液成長 ,  無転位結晶 ,  状態図 ,  解法 ,  多形 ,  貫通転位 ,  刃状転位 ,  螺旋転位
準シソーラス用語： CALPHAD法

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (35件)：

• 例えば四戸孝:応用物理74,506(2005).
• Y.M. Tairov and V.F. Tsvetkov: J. Cryst. Growth 52, 146 (1981).
• Y. Tokuda, J. Kojima, K. Hara, H. Tsuchida, and S. Onda: Mater. Sci. Forum 778-780, 51 (2014).
• N. Hoshino, I. Kamata, Y. Tokuda, E. Makino, J. Kojima, and H. Tsuchida: Mater. Sci. Forum 778-780, 55 (2014).
• 例えば A. Suzuki, M. Ikeda, N. Nagao, and H. Matsunami: J. Appl. Phys. 47, 4546 (1976).

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶液成長 ,  転位 ,  4H-SiC ,  バルク ,  結晶成長 ,  試み