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J-GLOBAL ID：201702228389805288   整理番号：17A1244804

半極性(1122)配向GaN中の拡張欠陥の伝搬に及ぼすナノ多孔性SiN_x中間層の効果【Powered by NICT】

Effect of nano-porous SiN_x interlayer on propagation of extended defects in semipolar (1122)-orientated GaN

著者 (11件)： Monavarian Morteza (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA) ,  Izyumskaya Natalia (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA) ,  Mueller Marcus (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, D-39106 Magdeburg, Germany) ,  Metzner Sebastian (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, D-39106 Magdeburg, Germany) ,  Veit Peter (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, D-39106 Magdeburg, Germany) ,  Das Saikat (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA) ,  OEzguer UEmit (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA) ,  Bertram Frank (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, D-39106 Magdeburg, Germany) ,  Christen Juergen (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, D-39106 Magdeburg, Germany) ,  Morkoc Hadis (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA) ,  Avrutin Vitaliy (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA)
資料名： Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics  (Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics)
巻： 14  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1400A  ISSN： 1862-6351  CODEN： PSSCGL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNの半極性配向は高輝度発光素子用の潜在的なプラットフォームとしてかなりの注目を集めている。半極性GaN層のヘテロエピタクシーは,高密度貫通転位(TD)及び基底面積層欠陥(BSFs)も生成する。種々の欠陥低減法は,半極性基板の結晶品質,その中でその場エピタキシャル横方向被覆成長(ELO)は,その比較的簡単な操作,低コスト,およびTDの密度低減における高い有効性のために非常に重要であることを向上させるために採用した。その場蒸着ナノ多孔質SiN_xは成長させた半極性(1122)GaN層への浸透からTDとB SFの両方を防止するための阻止層として作用することを示した。本論文では,m-サファイア基板上にMOCVDにより成長させた(1122)配向GaN層におけるナノ多孔質SiN_xと拡張欠陥(TDsとB SF)との相互作用の微視的研究を行った。断面走査型透過型電子顕微鏡陰極線ルミネセンス(STEM CL)はSiN_x中間層の二重挿入のためのBSF密度の減少を明らかにする約50%であった。も統合されたCL強度はTDの大部分は中間層により遮断されることを示した約二桁増大することを示した。GaN核におけるナノ多孔質SiN_xと欠陥分布を持つTDと基底面積層欠陥の相互作用を簡単に論じた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 積層欠陥 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ヘテロエピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  陰極線ルミネセンス ,  貫通転位 ,  相互作用
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  横方向成長 ,  結晶品質 ,  *ナノポーラス ,  *中間層 ,  *拡張欠陥 ,  *半極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 基底面積層欠陥 ,  陰極線ルミネセンス ,  半極性GaN ,  STEM ,  貫通転位

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 半極性 ,  配向 ,  GaN ,  拡張欠陥 ,  伝搬 ,  ナノ多孔性 ,  中間層